Артикул:
North Tec Asia Limited, Фю Цонь, г. Шанхай №3768, КитайПроизводитель:
Qumo
BYN751 РУБ
Время наработки на отказ (МТBF)
1800000 чИнтерфейс
PCI Express 3.0 x4Общие характеристики:
Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 2500 Мб/с
Скорость последовательной записи: 2000 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 190 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF): 1800000 ч
Толщина: 3.75 мм
Скорость записи: 32 Гбит/сек
Контроллер: Silicon Motion SM2263XT
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 800 TBW
Ударостойкость при работе: 1500 G
Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 2500 Мб/с
Скорость последовательной записи: 2000 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 190 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF): 1800000 ч
Толщина: 3.75 мм
Скорость записи: 32 Гбит/сек
Контроллер: Silicon Motion SM2263XT
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 800 TBW
Ударостойкость при работе: 1500 G
Комфорт
Время наработки на отказ (МТBF)
1800000 ч
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Контроллер
Silicon Motion SM2263XT
Объем
1 Тб
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
800 TBW
Скорость записи
32 Гбит/сек
Скорость последовательного чтения
2500 Мб/с
Скорость последовательной записи
2000 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
95 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
190 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Толщина
3.75 мм
Ударостойкость при работе
1500 G
Форм-фактор
M.2
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары