Артикул:
Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, TaiwanПроизводитель:
Silicon Power
BYN109 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
204Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Thermaltake ToughRam RGB 2x16GB DDR4 PC4-28800 R009D416GX2-3600C18A
PC-индекс: PC4-28800
Количество модулей в комплекте: 2
Напряжение питания: 1.35 В
Подсветка элементов платы: есть
BYN337 РУБ
Модуль памяти Transcend JetRam 16GB DDR4 SODIMM PC4-21300 JM2666HSE-16G
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 16 Гбит
Количество ранков: 1
BYN210 РУБ
Модуль памяти Kingston FURY Renegade RGB 16GB DDR4 PC4-28800 KF436C16RB1A/16
PC-индекс: PC4-28800
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 2
BYN278 РУБ
Модуль памяти Kingston KSM26RS8/8MEI
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN108 РУБ
Модуль памяти Netac Shadow 16GB DDR4 PC4-25600 NTSDD4P32SP-16E
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.35 В
Подсветка элементов платы: нет
BYN215 РУБ