Артикул:
Samsung Electronics Co., Ltd, 22nd Fl., Samsung Life Bldg., 1321-15, Seocho 2-dong, Secho-gu, Seoul 137-955, KoreaПроизводитель:
Samsung
BYN100 РУБ
PC-индекс
PC4-25600Количество модулей в комплекте
1Емкость микросхем
8 ГбитКоличество ранков
1Общие характеристики:
Тип: DDR4 SO-DIMM
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 3200 МГц
Поддержка ECC: нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для ноутбука
PC-индекс: PC4-25600
Общий объем: 8 Гб
Цвет: зеленый
Тайминги:
CL: 22
tRCD: 22
tRP: 22
CAS Latency: 22T
Тайминги: 22-22-22
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 8 Гбит
Тип микросхем: 1Gx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Тип: DDR4 SO-DIMM
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 3200 МГц
Поддержка ECC: нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для ноутбука
PC-индекс: PC4-25600
Общий объем: 8 Гб
Цвет: зеленый
Тайминги:
CL: 22
tRCD: 22
tRP: 22
CAS Latency: 22T
Тайминги: 22-22-22
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 8 Гбит
Тип микросхем: 1Gx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Комфорт
PC-индекс
PC4-25600
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
3200 МГц
Тип
DDR4 SO-DIMM
Форм-фактор
SODIMM
Цвет
зеленый
Панель управления
Емкость микросхем
8 Гбит
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Тип микросхем
1Gx8
Число микросхем
8
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Samsung DDR4 8GB PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD6Y
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 1
BYN182 РУБ
Модуль памяти Samsung M393A2K40BB2-CTD
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN663 РУБ
Модуль памяти Silicon Power SP004GBLFU240N02
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Количество чипов каждого модуля: 8
Напряжение питания: 1.2 В
BYN54 РУБ
Модуль памяти Supermicro 32GB DDR4 PC4-21300 MEM-DR432L-CV02-EU26
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN1238 РУБ
Модуль памяти Supermicro 8GB DDR3 PC3-12800 MEM-DR380L-IV02-EU16
PC-индекс: PC3-12800
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN289 РУБ