Код товара: QUM3S-4G1600K11L
Артикул:
QUMO Limited, 20 Soudrey Way Butetown Cardiff CF10 5FW
Производитель:
Qumo
BYN45 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Напряжение питания
1.35 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.35 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo QUM3S-8G1600C11R
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): нет Количество чипов каждого модуля: 16 Напряжение питания: 1.5 В
BYN61 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM3U-4G1333K9R
Количество контактов: 240 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN38 РУБ
Модуль памяти Qumo ReVolution Primary 8GB DDR4 PC4-21300 Q4Rev-8G2666P16Prim
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN95 РУБ
Модуль памяти Qumo ReVolution Primary 8GB DDR4 PC4-25600 Q4Rev-8G3200P16Prim
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN180 РУБ
Модуль памяти Qumo ReVolution Primary 8GB DDR4 PC4-28800 Q4Rev-8G3600P18Prim
PC-индекс: PC4-28800 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN215 РУБ