Код товара: QUM4S-16G3200N22
Артикул:
QUMO Limited, 20 Soudrey Way Butetown Cardiff CF10 5FW
Производитель:
Qumo
BYN146 РУБ
PC-индекс
PC4-25600
Количество модулей в комплекте
1
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR4 SO-DIMM
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 3200 МГц
Поддержка ECC: нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для ноутбука
PC-индекс: PC4-25600
Общий объем: 16 Гб
Цвет: черный

Тайминги:
CAS Latency: 22T

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Тип микросхем: 2Gx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет

Комфорт

PC-индекс
PC4-25600
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
16 Гб
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
3200 МГц
Тип
DDR4 SO-DIMM
Форм-фактор
SODIMM
Цвет
черный

Панель управления

Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Тип микросхем
2Gx8

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo QUM4S-32G3200N22
PC-индекс: PC4-25600 Количество контактов: 260 Количество чипов каждого модуля: 8 Напряжение питания: 1.2 В
BYN284 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4U-16G2400N17
PC-индекс: PC-19200 Буферизованная (Registered): нет Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN215 РУБ
Модуль памяти Qumo ReVolution Primary Q4Rev-8G2666P16PrimR
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN170 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 2
BYN260 РУБ
Модуль памяти Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 2
BYN411 РУБ