Код товара: 8GB DDR4 SODIMM PC4-17000 QUM4S-8G2133P15
Артикул:
QUMO Limited, 20 Soudrey Way Butetown Cardiff CF10 5FW
Производитель:
Qumo
BYN97 РУБ
PC-индекс
PC4-17000
Буферизованная (Registered)
нет
Емкость микросхем
8 Гбит
Количество ранков
1
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR4 SO-DIMM
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2133 МГц
Пропускная способность: 17000 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Назначение: для ноутбука
PC-индекс: PC4-17000
Общий объем: 8 Гб

Тайминги:
CL: 15
CAS Latency: 15T

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 8 Гбит
Тип микросхем: 1Gx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет

Комфорт

PC-индекс
PC4-17000
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
17000 Мб/с
Тактовая частота
2133 МГц
Тип
DDR4 SO-DIMM
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Емкость микросхем
8 Гбит
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Тип микросхем
1Gx8
Число микросхем
8

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo 8GB SO-DIMM DDR3 PC3-10600 (QUM3S-8G1333C9)
PC-индекс: PC3-10600 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 4 Гбит Напряжение питания: 1.5 В
BYN70 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM3S-4G1600K11R
PC-индекс: PC3-12800 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.5 В Профили AMP: нет
BYN85 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4U-16G3200N22
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN139 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-23400 M391A2K43DB1-CVF
PC-индекс: PC4-23400 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 2
BYN353 РУБ
Модуль памяти Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN404 РУБ