Код товара: R744G2606U1S
Артикул:
: Advanced Micro Devices, Inc. USA, Sunnyvale, CA 94088-3453, One AMD Place P.O. Box 3453.
Производитель:
AMD
BYN80 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
есть
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 16
tRCD: 18
tRP: 18
tRAS: 35

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: есть

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
есть

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти AMD Radeon R9 Gamer Series 32GB DDR4 PC4-25600 R9S432G3206U2S
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.35 В Подсветка элементов платы: нет
BYN272 РУБ
Модуль памяти Apacer AU08GFA60CATBGC
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): нет Напряжение питания: 1.2 В Профили AMP: нет
BYN131 РУБ
Модуль памяти Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 4 Напряжение питания: 1.2 В
BYN1019 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 PC3-12800 KVR16E11S8/4
PC-индекс: PC3-12800 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 4 Гбит Количество ранков: 1
BYN277 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD34G13332S
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN70 РУБ