Код товара: KVR13S9K2/16
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN427 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Напряжение питания
1.5 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб

Тайминги:
CL: 9

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
2
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
10600 Мб/с
Тактовая частота
1333 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.5 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16N11/4
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): нет Емкость микросхем: 2 Гбит Количество ранков: 2
BYN144 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11H/8
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): нет Емкость микросхем: 4 Гбит Количество ранков: 2
BYN180 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11S6/2
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN65 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16R11D4/16
Буферизованная (Registered): есть Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN695 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16S11/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN136 РУБ