Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN905 РУБ
PC-индекс
PC4-21300Количество модулей в комплекте
1Напряжение питания
1.2 ВРадиатор
нетОбщие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC4-21300
Тайминги:
CAS Latency: 19T
Тайминги: 19-19-19
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC4-21300
Тайминги:
CAS Latency: 19T
Тайминги: 19-19-19
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Комфорт
PC-индекс
PC4-21300
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для системного блока
Объем одного модуля
32 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
нет
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR13S9K2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Напряжение питания: 1.5 В
BYN427 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11/4
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 2 Гбит
Количество ранков: 2
BYN144 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11H/8
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 2
BYN180 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11S6/2
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN65 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16R11D4/16
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN441 РУБ