Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN80 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
288Количество ранков
1Количество чипов каждого модуля
4.Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 22
tRCD: 22
tRP: 22
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4.
Напряжение питания: 1.2 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 22
tRCD: 22
tRP: 22
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4.
Напряжение питания: 1.2 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
25600 Мб/с
Тактовая частота
3200 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
4.
Напряжение питания
1.2 В
Упаковка чипов
односторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 PC3-12800
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 1
BYN106 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.5 В
BYN102 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 KVR26S19S6/4
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 1
BYN72 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 8GB DDR3 PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.35 В
BYN216 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN294 РУБ