Код товара: KVR21S15S8/4
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN168 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2133 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 15
tRCD: 15
tRP: 15

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
2133 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR24N17S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN121 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR24S17S8/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 260 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN229 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR26N19S8L/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN116 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR800D2N6/1G
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество чипов каждого модуля: 8. Напряжение питания: 1.8 В
BYN86 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR800D2N6/4G
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Напряжение питания: 1.8 В
BYN365 РУБ