Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN1526 РУБ
Буферизованная (Registered)
естьКоличество контактов
288Количество ранков
2Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 32 Гб
Тайминги:
CL: 19
Дополнительно:
Количество ранков: 2
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 32 Гб
Тайминги:
CL: 19
Дополнительно:
Количество ранков: 2
Комфорт
Буферизованная (Registered)
есть
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
32 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
2
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR1333D3N9/4G
PC-индекс: PC3-10600
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 2 Гбит
Количество ранков: 2
BYN151 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR13N9S6/2
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN69 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16E11S8/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 9.
BYN297 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LE11/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN521 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LR11D4/16
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): есть
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 2
BYN579 РУБ