Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN213 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
260Количество ранков
1Напряжение питания
1.2 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2133 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 15
tRCD: 15
tRP: 15
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2133 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 15
tRCD: 15
tRP: 15
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
2133 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR24R17S8/4
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN124 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR24R17S8/8
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 9.
BYN219 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR26N19S8/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 1
BYN93 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR667D2E5/2G
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.8 В
BYN127 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR800D2N6/2G
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.8 В
BYN108 РУБ