Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN80 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
288Количество ранков
1Количество чипов каждого модуля
4Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
4
Напряжение питания
1.2 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Упаковка чипов
односторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR26S19D8/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 260
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN175 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR32N22S6/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN80 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 PC3-12800
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 1
BYN106 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.5 В
BYN102 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 KVR26S19S6/4
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 1
BYN72 РУБ