Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN428 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
240Количество ранков
1Количество чипов каждого модуля
8.Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 10
tRCD: 10
tRP: 10
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 8.
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 10
tRCD: 10
tRP: 10
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 8.
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
2
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Объем одного модуля
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
8.
Напряжение питания
1.5 В
Радиатор
есть
Упаковка чипов
односторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston HX318LS11IBK2/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.35 В
BYN123 РУБ
Модуль памяти Kingston HX321LS11IB2K2/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 8
BYN80 РУБ
Модуль памяти Kingston HX321LS11IBK2/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.35 В
BYN122 РУБ
Модуль памяти MICRON 64GB DDR4 PC4-25600 MTA36ASF8G72PZ-3G2E1
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN766 РУБ
Модуль памяти A-Data 2x8ГБ DDR5 5600 МГц AD5U56008G-DT
PC-индекс: PC5-44800
Количество модулей в комплекте: 2
Напряжение питания: 1.1 В
Подсветка элементов платы: нет
BYN324 РУБ