Артикул:
Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USAПроизводитель:
Patriot Memory
BYN88 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
260Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2133 МГц
Пропускная способность: 17000 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 15
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2133 МГц
Пропускная способность: 17000 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 15
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
17000 Мб/с
Тактовая частота
2133 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Patriot Memory PSD44G213382
PC-индекс: PC4-17000
Буферизованная (Registered): нет
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN76 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PV316G160C9K
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
BYN190 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PV38G160C9K
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
BYN129 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PVS416G300C6K
PC-индекс: PC4-24000
Буферизованная (Registered): нет
Количество ранков: 4
Напряжение питания: 1.35 В
BYN0 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PVS416G320C6
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Напряжение питания: 1.35 В
Радиатор: есть
BYN0 РУБ