Код товара: PSD34G160081S
Артикул:
Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA
Производитель:
Patriot Memory
BYN86 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Напряжение питания
1.5 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.5 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Patriot Memory PSD34G1600L2S
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.35 В
BYN70 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD34G1600L81
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): нет Напряжение питания: 1.35 В Подсветка элементов платы: нет
BYN78 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD38G13332
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN142 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD38G16002
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN138 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD38G16002S
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN135 РУБ