Артикул:
Hewlett-Packard Company, 3000 Hanover Street Palo Alto, CA 94304-1185, USAПроизводитель:
HP
BYN120 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетВремя наработки на отказ (МТBF)
2000000 чОбщие характеристики:
Объем: 0.12 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 1900 Мб/с
Скорость последовательной записи: 650 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 2.46 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.68 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Контроллер: Silicon Motion SM2263XT
Дата выхода на рынок: 2019
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 70 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 0.12 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 1900 Мб/с
Скорость последовательной записи: 650 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 2.46 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.68 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Контроллер: Silicon Motion SM2263XT
Дата выхода на рынок: 2019
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 70 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2019
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Контроллер
Silicon Motion SM2263XT
Объем
0.12 Тб
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
70 TBW
Скорость последовательного чтения
1900 Мб/с
Скорость последовательной записи
650 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
80 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Форм-фактор
M.2
Энергопотребление (ожидание)
0.68 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
2.46 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары