Артикул:
Hewlett-Packard Company, 3000 Hanover Street Palo Alto, CA 94304-1185, USAПроизводитель:
HP
BYN406 РУБ
Буферизованная (Registered)
естьКоличество контактов
240Количество ранков
4Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1066 МГц
Пропускная способность: 8500 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 16 Гб
Тайминги:
CL: 7
Дополнительно:
Количество ранков: 4
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1066 МГц
Пропускная способность: 8500 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 16 Гб
Тайминги:
CL: 7
Дополнительно:
Количество ранков: 4
Комфорт
Буферизованная (Registered)
есть
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
16 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
8500 Мб/с
Тактовая частота
1066 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
4
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти HP 647901-B21
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN339 РУБ
Модуль памяти HP 8GB DDR4 SO-DIMM PC4-25600 13L76AA
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Подсветка элементов платы: нет
Профили AMP: нет
BYN245 РУБ
Модуль памяти Hynix 32GB DDR4 PC4-21300 HMA84GR7AFR4N-VK
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 2
BYN1142 РУБ
Модуль памяти Hynix DDR2 800 DIMM 2Gb
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.8 В
BYN100 РУБ
Модуль памяти HyperX HX424S15IB2K4/32
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 260
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN356 РУБ