Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN177 РУБ
PC-индекс
PC3-12800Буферизованная (Registered)
нетЕмкость микросхем
4 ГбитКоличество ранков
2Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Назначение: для ноутбука
PC-индекс: PC3-12800
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
CAS Latency: 11T
Тайминги: 11-11-11
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 2
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 4 Гбит
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Назначение: для ноутбука
PC-индекс: PC3-12800
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
CAS Latency: 11T
Тайминги: 11-11-11
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 2
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 4 Гбит
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Комфорт
PC-индекс
PC3-12800
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Емкость микросхем
4 Гбит
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.5 В
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Число микросхем
8
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KCP426SS8/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 260
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN160 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR26N19S6L/4
PC-индекс: PC4-21300
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 1
BYN67 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM KVR1333D3N9/2G
PC-индекс: PC3-10600
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 1 Гбит
Напряжение питания: 1.5 В
BYN103 РУБ
Модуль памяти MICRON 64GB DDR4 PC4-23400 MTA36ASF8G72PZ-2G9B2
PC-индекс: PC4-23400
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN1422 РУБ
Модуль памяти MICRON 8GB DDR4 PC4-25600 MTA9ASF1G72PZ-3G2
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN224 РУБ