Код товара: QUM3U-4G1600K11L
Артикул:
QUMO Limited, 20 Soudrey Way Butetown Cardiff CF10 5FW
Производитель:
Qumo
BYN72 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Напряжение питания
1.35 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
tRAS: 30

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.35 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo QUM4S-16G3200P22
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN186 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M393A2K40BB2-CTD6Y
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN287 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN158 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K40DB3-CWEBY
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN308 РУБ
Модуль памяти Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN349 РУБ