Код товара: RAM-2GDR3L-SO-1600
Артикул:
Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan
Производитель:
QNAP
BYN661 РУБ
PC-индекс
PC3-12800
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.35 В
Подсветка элементов платы
нет
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Объем одного модуля: 2 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Назначение: для ноутбука
PC-индекс: PC3-12800
Общий объем: 2 Гб

Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
CAS Latency: 11
Тайминги: 11-11-11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Радиатор: нет
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет

Комфорт

PC-индекс
PC3-12800
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
2 Гб
Объем одного модуля
2 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.35 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo 4GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-4G1600C11
PC-индекс: PC3-12800 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 2 Гбит Количество ранков: 1
BYN98 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM3U-4G1600K11L
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Напряжение питания: 1.35 В
BYN79 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4S-16G3200P22
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN168 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M393A2K40BB2-CTD6Y
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN287 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN249 РУБ