Код товара: KVR800D2N6/4G
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN365 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Напряжение питания
1.8 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR2
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 800 МГц
Пропускная способность: 6400 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 6

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.8 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
6400 Мб/с
Тактовая частота
800 МГц
Тип
DDR2
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.8 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 PC3-12800 (KVR16N11S8/4)
PC-индекс: PC3-12800 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 4 Гбит Напряжение питания: 1.5 В
BYN153 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 KVR16S11S8/4WP
PC-индекс: PC3-12800 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.5 В Подсветка элементов платы: нет
BYN156 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 8GB DDR4 PC4-23400 KVR29N21S8/8
PC-индекс: PC4-23400 Буферизованная (Registered): нет Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN167 РУБ
Модуль памяти Lenovo 46W0796
Буферизованная (Registered): есть Количество контактов: 288 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN568 РУБ
Модуль памяти MICRON 64GB DDR4 PC4-23400 MTA36ASF8G72PZ-2G9E1
PC-индекс: PC4-23400 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 16 Гбит Количество ранков: 2
BYN545 РУБ