Код товара: KVR16LR11D4/8
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN476 РУБ
Буферизованная (Registered)
есть
Количество контактов
240
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.35 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 8 Гб

Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Количество ранков: 2

Комфорт

Буферизованная (Registered)
есть
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Количество ранков
2
Напряжение питания
1.35 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16R11D8/4
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): есть Емкость микросхем: 2 Гбит Количество ранков: 2
BYN285 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR21N15S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN135 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR21S15S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 260 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN188 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR24N17S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN121 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR24S17S8/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 260 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN229 РУБ