Код товара: KVR16LR11D4/16
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN579 РУБ
PC-индекс
PC3-12800
Буферизованная (Registered)
есть
Емкость микросхем
4 Гбит
Количество ранков
2
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: RDIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Назначение: для сервера
PC-индекс: PC3-12800
Общий объем: 16 Гб

Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
CAS Latency: 11T
Тайминги: 11-11-11

Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 36
Напряжение питания: 1.35 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: двусторонняя
Количество ранков: 2
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 36
Емкость микросхем: 4 Гбит
Тип микросхем: 1Gx4
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет

Комфорт

PC-индекс
PC3-12800
Буферизованная (Registered)
есть
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для сервера
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
16 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
RDIMM

Панель управления

Емкость микросхем
4 Гбит
Количество ранков
2
Количество чипов каждого модуля
36
Напряжение питания
1.35 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Тип микросхем
1Gx4
Упаковка чипов
двусторонняя
Число микросхем
36

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16LR11D4/8
Буферизованная (Registered): есть Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.35 В
BYN458 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16R11D8/4
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): есть Емкость микросхем: 2 Гбит Количество ранков: 2
BYN285 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR21N15S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN135 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR21S15S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 260 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN163 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR24N17S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN121 РУБ