Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN69 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
240Количество ранков
1Количество чипов каждого модуля
4.Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 2 Гб
Тайминги:
CL: 9
tRCD: 9
tRP: 9
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4.
Напряжение питания: 1.5 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 2 Гб
Тайминги:
CL: 9
tRCD: 9
tRP: 9
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4.
Напряжение питания: 1.5 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
2 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
10600 Мб/с
Тактовая частота
1333 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
4.
Напряжение питания
1.5 В
Упаковка чипов
односторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16E11S8/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 9.
BYN297 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LE11/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN541 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LR11D4/16
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): есть
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 2
BYN579 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LR11D4/8
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN476 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16R11D8/4
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): есть
Емкость микросхем: 2 Гбит
Количество ранков: 2
BYN285 РУБ