Код товара: KVR1333D3N9/4G
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN151 РУБ
PC-индекс
PC3-10600
Буферизованная (Registered)
нет
Емкость микросхем
2 Гбит
Количество ранков
2
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC3-10600
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 9
tRCD: 9
tRP: 9
CAS Latency: 9T
Тайминги: 9-9-9

Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 16
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: двусторонняя
Количество ранков: 2
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 16
Емкость микросхем: 2 Гбит
Тип микросхем: 256Mx8
Профили XMP: нет

Комфорт

PC-индекс
PC3-10600
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для системного блока
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
10600 Мб/с
Тактовая частота
1333 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Емкость микросхем
2 Гбит
Количество ранков
2
Количество чипов каждого модуля
16
Напряжение питания
1.5 В
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Тип микросхем
256Mx8
Упаковка чипов
двусторонняя
Число микросхем
16

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR13N9S6/2
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN69 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16E11S8/4
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 9.
BYN297 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LE11/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.35 В
BYN541 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LR11D4/16
PC-индекс: PC3-12800 Буферизованная (Registered): есть Емкость микросхем: 4 Гбит Количество ранков: 2
BYN579 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LR11D4/8
Буферизованная (Registered): есть Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.35 В
BYN476 РУБ