Артикул:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, SeoulПроизводитель:
Samsung
BYN615 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетИнтерфейс
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)Общие характеристики:
Объем: 0.96 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 3000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1100 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 38 000 IOps
Толщина: 7 мм
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 0.96 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 3000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1100 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 38 000 IOps
Толщина: 7 мм
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Объем
0.96 Тб
Скорость последовательного чтения
3000 Мб/с
Скорость последовательной записи
1100 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
400 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
38 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Толщина
7 мм
Форм-фактор
M.2
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
SSD Silicon Power M10 M.2 2280 120GB [SP120GBSS3M10M28]
Дата выхода на рынок: 2016
Интерфейс: SATA 3.0
BYN142 РУБ
SSD Silicon Power P34A80 2TB SP002TBP34A80M28
Аппаратное шифрование: нет
Дата выхода на рынок: 2019
BYN508 РУБ
SSD-накопитель Silicon Power SP001TBP34A60M28
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
BYN240 РУБ
SSD Silicon Power US70 1Tb/SSD/M.2
Буфер обмена: 1024 Мб
Время наработки на отказ (МТBF): 1700000 ч
BYN1060 РУБ
SSD Silicon Power XD80 1TB SP001TBP34XD8005
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Аппаратное шифрование: нет
BYN257 РУБ