Артикул:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, SeoulПроизводитель:
Samsung
BYN8923 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетАппаратное шифрование
нетОбщие характеристики:
Объем: 12.8 Тб
Форм-фактор: плата расширения
Интерфейс: PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: нет
Скорость последовательного чтения: 8000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3800 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 250 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Дата выхода на рынок: 2019
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: есть
Ресурс записи: 70000 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 12.8 Тб
Форм-фактор: плата расширения
Интерфейс: PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: нет
Скорость последовательного чтения: 8000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3800 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 250 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Дата выхода на рынок: 2019
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: есть
Ресурс записи: 70000 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Аппаратное шифрование
нет
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2019
Интерфейс
PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2)
Объем
12.8 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
есть
Ресурс записи
70000 TBW
Скорость последовательного чтения
8000 Мб/с
Скорость последовательной записи
3800 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
1 500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
250 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Форм-фактор
плата расширения
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары