Артикул:
Intel Corporation. 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054-1549 USAПроизводитель:
Intel
BYN481 РУБ
Аппаратное шифрование
естьВремя наработки на отказ (МТBF)
2000000 чОбщие характеристики:
Объем: 0.48 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3.0
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с
Скорость последовательной записи: 460 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 79 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 30 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 3 Вт
Энергопотребление (ожидание): 1.2 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Толщина: 7 мм
Дата выхода на рынок: 2021
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Ресурс записи: 10000 TBW
Объем: 0.48 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3.0
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с
Скорость последовательной записи: 460 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 79 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 30 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 3 Вт
Энергопотребление (ожидание): 1.2 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Толщина: 7 мм
Дата выхода на рынок: 2021
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Ресурс записи: 10000 TBW
Комфорт
Аппаратное шифрование
есть
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2021
Интерфейс
SATA 3.0
Объем
0.48 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
нет
Ресурс записи
10000 TBW
Скорость последовательного чтения
550 Мб/с
Скорость последовательной записи
460 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
79 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
30 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Толщина
7 мм
Форм-фактор
2.5"
Энергопотребление (ожидание)
1.2 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
3 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары