Артикул:
Intel Corporation. 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054-1549 USAПроизводитель:
Intel
BYN7321 РУБ
Аппаратное шифрование
естьВремя наработки на отказ (МТBF)
2000000 чОбщие характеристики:
Объем: 6.4 Тб
Форм-фактор: плата расширения
Интерфейс: PCI Express 3.0 x8 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 6650 Мб/с
Скорость последовательной записи: 5350 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 210 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 484 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 29 Вт
Энергопотребление (ожидание): 10 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Дата выхода на рынок: 2019
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: есть
Ресурс записи: 53000 TBW
Объем: 6.4 Тб
Форм-фактор: плата расширения
Интерфейс: PCI Express 3.0 x8 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 6650 Мб/с
Скорость последовательной записи: 5350 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 210 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 484 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 29 Вт
Энергопотребление (ожидание): 10 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Дата выхода на рынок: 2019
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: есть
Ресурс записи: 53000 TBW
Комфорт
Аппаратное шифрование
есть
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2019
Интерфейс
PCI Express 3.0 x8 (NVMe)
Объем
6.4 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
есть
Ресурс записи
53000 TBW
Скорость последовательного чтения
6650 Мб/с
Скорость последовательной записи
5350 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
1 210 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
484 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Форм-фактор
плата расширения
Энергопотребление (ожидание)
10 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
29 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары