Артикул:
Samsung Electronics Co., Ltd, 22nd Fl., Samsung Life Bldg., 1321-15, Seocho 2-dong, Secho-gu, Seoul 137-955, KoreaПроизводитель:
Samsung
BYN1151 РУБ
Буферизованная (Registered)
естьКоличество модулей в комплекте
1Количество ранков
2Количество чипов каждого модуля
36Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: RDIMM
Объем одного модуля: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2400 МГц
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для сервера
Общий объем: 32 Гб
Тайминги:
CL: 17
CAS Latency: 17
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 36
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: двусторонняя
Количество ранков: 2
Тип: DDR4
Форм-фактор: RDIMM
Объем одного модуля: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2400 МГц
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для сервера
Общий объем: 32 Гб
Тайминги:
CL: 17
CAS Latency: 17
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 36
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: двусторонняя
Количество ранков: 2
Комфорт
Буферизованная (Registered)
есть
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для сервера
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
32 Гб
Объем одного модуля
32 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
19200 Мб/с
Тактовая частота
2400 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
RDIMM
Панель управления
Количество ранков
2
Количество чипов каждого модуля
36
Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
нет
Упаковка чипов
двусторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары