Артикул:
Intel Corporation. 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054-1549 USAПроизводитель:
Intel
BYN197 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетАппаратное шифрование
естьОбщие характеристики:
Объем: 0.500 Тб
Форм-фактор: M.2 (NVMe)
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 3000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 110 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 315 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 0.8 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.25 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч
Дата выхода на рынок: 2021
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 185 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 0.500 Тб
Форм-фактор: M.2 (NVMe)
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 3000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 110 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 315 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 0.8 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.25 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч
Дата выхода на рынок: 2021
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 185 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Аппаратное шифрование
есть
Время наработки на отказ (МТBF)
1600000 ч
Дата выхода на рынок
2021
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Объем
0.500 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
185 TBW
Скорость последовательного чтения
3000 Мб/с
Скорость последовательной записи
1600 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
110 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
315 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D QLC NAND
Форм-фактор
M.2 (NVMe)
Энергопотребление (ожидание)
0.25 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
0.8 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары