Артикул:
Samsung Electronics Co., Ltd, 22nd Fl., Samsung Life Bldg., 1321-15, Seocho 2-dong, Secho-gu, Seoul 137-955, KoreaПроизводитель:
Samsung
BYN663 РУБ
Буферизованная (Registered)
естьКоличество контактов
288Количество ранков
1Напряжение питания
1.2 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 16 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
tRAS: 32
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 16 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
tRAS: 32
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
есть
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
16 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары