Код товара: 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFBY
Артикул:
Samsung Electronics Co., Ltd, 22nd Fl., Samsung Life Bldg., 1321-15, Seocho 2-dong, Secho-gu, Seoul 137-955, Korea
Производитель:
Samsung
BYN562 РУБ
PC-индекс
PC4-23400
Количество модулей в комплекте
1
Емкость микросхем
16 Гбит
Количество ранков
2
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR4 DIMM Registered
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2933 МГц
Поддержка ECC: есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC4-23400
Общий объем: 64 Гб
Цвет: зеленый

Тайминги:
CL: 21
tRCD: 21
tRP: 21
CAS Latency: 21T
Тайминги: 21-21-21

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 2
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 36
Емкость микросхем: 16 Гбит
Тип микросхем: 4Gx4
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет

Комфорт

PC-индекс
PC4-23400
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для системного блока
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
64 Гб
Поддержка ECC
есть
Тактовая частота
2933 МГц
Тип
DDR4 DIMM Registered
Форм-фактор
DIMM
Цвет
зеленый

Панель управления

Емкость микросхем
16 Гбит
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.2 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Тип микросхем
4Gx4
Число микросхем
36

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN100 РУБ
Модуль памяти Samsung DDR4 8GB PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD6Y
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN182 РУБ
Модуль памяти Samsung M393A2K40BB2-CTD
Буферизованная (Registered): есть Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN663 РУБ
Модуль памяти Silicon Power SP004GBLFU240N02
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество чипов каждого модуля: 8 Напряжение питания: 1.2 В
BYN54 РУБ
Модуль памяти Supermicro 32GB DDR4 PC4-21300 MEM-DR432L-CV02-EU26
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN1238 РУБ