Код товара: HX316LS9IB/4
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN161 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.35 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 9
tRCD: 9
tRP: 9

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Количество ранков: 1

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Количество ранков
1
Напряжение питания
1.35 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16N11S8H/4WP
PC-индекс: PC3-12800 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.5 В Подсветка элементов платы: нет
BYN103 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR18R13D4/16
PC-индекс: PC3-14900 Буферизованная (Registered): есть Емкость микросхем: 4 Гбит Количество ранков: 2
BYN624 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR800D2S6/2G
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 200 Напряжение питания: 1.8 В
BYN115 РУБ
Модуль памяти Kingston Server Premier 32GB DDR4 PC4-23400 KSM29RS4/32HAR
PC-индекс: PC4-23400 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 16 Гбит Количество ранков: 1
BYN1506 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 16GB DDR4 PC4-23400 KVR29N21D8/16
PC-индекс: PC4-23400 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 2
BYN182 РУБ