Артикул:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, SeoulПроизводитель:
Samsung
BYN3079 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетАппаратное шифрование
нетОбщие характеристики:
Объем: 3.84 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND
Аппаратное шифрование: нет
Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3800 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 135 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 20 Вт
Энергопотребление (ожидание): 8.5 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Толщина: 15 мм
Дата выхода на рынок: 2020
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Ресурс записи: 7000 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 3.84 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND
Аппаратное шифрование: нет
Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3800 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 135 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 20 Вт
Энергопотребление (ожидание): 8.5 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Толщина: 15 мм
Дата выхода на рынок: 2020
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Ресурс записи: 7000 TBW
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Аппаратное шифрование
нет
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2020
Интерфейс
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Объем
3.84 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
нет
Ресурс записи
7000 TBW
Скорость последовательного чтения
7000 Мб/с
Скорость последовательной записи
3800 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
1 500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
135 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D MLC NAND
Толщина
15 мм
Форм-фактор
2.5"
Энергопотребление (ожидание)
8.5 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
20 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары