Артикул:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, SeoulПроизводитель:
Samsung
BYN192 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетАппаратное шифрование
естьОбщие характеристики:
Объем: 0.250 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с
Скорость последовательной записи: 2300 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 250 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 5 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Толщина: 2.38 мм
Контроллер: Samsung Phoenix
Дата выхода на рынок: 2019
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 150 TBW
Буфер обмена: 512 Мб
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Совместимость с PS5: нет
Объем: 0.250 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с
Скорость последовательной записи: 2300 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 250 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 5 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Толщина: 2.38 мм
Контроллер: Samsung Phoenix
Дата выхода на рынок: 2019
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 150 TBW
Буфер обмена: 512 Мб
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Совместимость с PS5: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Аппаратное шифрование
есть
Буфер обмена
512 Мб
Время наработки на отказ (МТBF)
1500000 ч
Дата выхода на рынок
2019
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Контроллер
Samsung Phoenix
Объем
0.250 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
150 TBW
Скорость последовательного чтения
3500 Мб/с
Скорость последовательной записи
2300 Мб/с
Совместимость с PS5
нет
Средняя скорость случайного чтения
250 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
550 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Толщина
2.38 мм
Форм-фактор
M.2
Энергопотребление (ожидание)
0.03 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
5 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары