Артикул:
Samsung Electronics Co., Ltd, 22nd Fl., Samsung Life Bldg., 1321-15, Seocho 2-dong, Secho-gu, Seoul 137-955, KoreaПроизводитель:
Samsung
BYN912 РУБ
PC-индекс
PC4-23400Количество модулей в комплекте
1Емкость микросхем
16 ГбитКоличество ранков
4Общие характеристики:
Тип: DDR4 DIMM Registered
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2933 МГц
Поддержка ECC: есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC4-23400
Общий объем: 64 Гб
Тайминги:
CL: 21
tRCD: 21
tRP: 21
CAS Latency: 21T
Тайминги: 21-21-21
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 4
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 36
Емкость микросхем: 16 Гбит
Тип микросхем: 4Gx4
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Тип: DDR4 DIMM Registered
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2933 МГц
Поддержка ECC: есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC4-23400
Общий объем: 64 Гб
Тайминги:
CL: 21
tRCD: 21
tRP: 21
CAS Latency: 21T
Тайминги: 21-21-21
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 4
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 36
Емкость микросхем: 16 Гбит
Тип микросхем: 4Gx4
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Комфорт
PC-индекс
PC4-23400
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для системного блока
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
64 Гб
Поддержка ECC
есть
Тактовая частота
2933 МГц
Тип
DDR4 DIMM Registered
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Емкость микросхем
16 Гбит
Количество ранков
4
Напряжение питания
1.2 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Тип микросхем
4Gx4
Число микросхем
36
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 2
BYN878 РУБ
Модуль памяти Samsung 8GB DDR4 PC4-23400 M378A1K43EB2-CVF
PC-индекс: PC4-23400
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN184 РУБ
Модуль памяти Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Подсветка элементов платы: нет
BYN98 РУБ
Модуль памяти Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWEBY
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Подсветка элементов платы: нет
BYN214 РУБ
Модуль памяти Samsung M378A5244CB0-CRC
Количество модулей в комплекте: 1
Объем одного модуля: 4 Гб
Напряжение питания: 1.2 В
BYN89 РУБ