Код товара: QUM4S-8G2400P16
Артикул:
QUMO Limited, 20 Soudrey Way Butetown Cardiff CF10 5FW
Производитель:
Qumo
BYN75 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Напряжение питания
1.2 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2400 МГц
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 8 Гб

Тайминги:
CL: 16

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
19200 Мб/с
Тактовая частота
2400 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.2 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo QUM4U-16G2666N19
PC-индекс: PC-21300 Буферизованная (Registered): нет Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN162 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4U-8G2933P21
PC-индекс: PC4-23400 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN86 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4U-8G3200P22
PC-индекс: PC4-25600 Буферизованная (Registered): нет Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8
BYN88 РУБ
Модуль памяти Qumo ReVolution Primary 8GB DDR4 PC4-24000 Q4Rev-8G3000P16Prim
PC-индекс: PC4-24000 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN159 РУБ
Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 PC4-23400 M393A2K43CB2-CVFBY
PC-индекс: PC4-23400 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 2
BYN835 РУБ