Код товара: PSD34G1600L81S
Артикул:
Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA
Производитель:
Patriot Memory
BYN60 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.35 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Количество ранков: 1

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Количество ранков
1
Напряжение питания
1.35 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Patriot Memory PSD44G213381S
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 260
BYN88 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD44G213382
PC-индекс: PC4-17000 Буферизованная (Registered): нет Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN76 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PV316G160C9K
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Напряжение питания: 1.5 В Радиатор: есть
BYN156 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PV38G160C9K
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Напряжение питания: 1.5 В Радиатор: есть
BYN156 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PVS416G300C6K
PC-индекс: PC4-24000 Буферизованная (Registered): нет Количество ранков: 4 Напряжение питания: 1.35 В
BYN0 РУБ