Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN136 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
204Количество ранков
2Напряжение питания
1.5 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Количество ранков: 2
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Количество ранков: 2
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.5 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR21N15S8/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN257 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR21S15S8/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 260
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN312 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR24R17S8/4
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN124 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR24R17S8/8
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 9.
BYN219 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR26N19S8/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 1
BYN93 РУБ