Код товара: KVR16N11H/8
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN180 РУБ
PC-индекс
PC3-12800
Буферизованная (Registered)
нет
Емкость микросхем
4 Гбит
Количество ранков
2
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC3-12800
Общий объем: 8 Гб

Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
CAS Latency: 11T
Тайминги: 11-11-11

Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 16
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: двусторонняя
Количество ранков: 2
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 16
Емкость микросхем: 4 Гбит
Тип микросхем: 512Mx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет

Комфорт

PC-индекс
PC3-12800
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для системного блока
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Емкость микросхем
4 Гбит
Количество ранков
2
Количество чипов каждого модуля
16
Напряжение питания
1.5 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Расположение чипов
двустороннее
Тип микросхем
512Mx8
Упаковка чипов
двусторонняя
Число микросхем
16

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16N11S6/2
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN65 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16R11D4/16
Буферизованная (Registered): есть Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN441 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16S11/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN136 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR21N15S8/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 1 Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN256 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR21S15S8/8
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 260 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN212 РУБ