Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN427 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
204Напряжение питания
1.5 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 9
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 9
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
2
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
10600 Мб/с
Тактовая частота
1333 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Напряжение питания
1.5 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16N11/4
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 2 Гбит
Количество ранков: 2
BYN144 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11H/8
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 2
BYN180 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11S6/2
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN65 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16R11D4/16
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN441 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16S11/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN136 РУБ