Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN685 РУБ
Количество модулей в комплекте
2Объем одного модуля
16 ГбНапряжение питания
1.5 ВУпаковка чипов
двусторонняяОбщие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тайминги:
CL: 10
tRCD: 10
tRP: 10
tRAS: 10
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Упаковка чипов: двусторонняя
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Тайминги:
CL: 10
tRCD: 10
tRP: 10
tRAS: 10
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Упаковка чипов: двусторонняя
Комфорт
Количество модулей в комплекте
2
Объем одного модуля
16 Гб
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Напряжение питания
1.5 В
Упаковка чипов
двусторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston HX318C10F*K2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN0 РУБ
Модуль памяти Kingston HX318LS11IBK2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 2
Количество чипов каждого модуля: 8
BYN500 РУБ
Модуль памяти Kingston HX430C15PB3/8
PC-индекс: PC4-24000
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 1
BYN329 РУБ
Модуль памяти Kingston HX430C15PB3K2/32
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN664 РУБ
Модуль памяти Kingston KSM26RD8/32MEI
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
BYN905 РУБ