Код товара: HX316C10F*K2/16
Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Производитель:
Kingston
BYN0 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.5 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 8 Гб

Тайминги:
CL: 10
tRCD: 10
tRP: 10

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
Количество ранков: 2

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
2
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Количество ранков
2
Напряжение питания
1.5 В
Радиатор
есть

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Kingston HX316C10FBK2/16
Количество модулей в комплекте: 2 Объем одного модуля: 16 Гб Напряжение питания: 1.5 В Упаковка чипов: двусторонняя
BYN685 РУБ
Модуль памяти Kingston HX318C10F*K2/16
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.5 В
BYN0 РУБ
Модуль памяти Kingston HX318LS11IBK2/16
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Количество ранков: 2 Количество чипов каждого модуля: 8
BYN500 РУБ
Модуль памяти Kingston HX430C15PB3/8
PC-индекс: PC4-24000 Буферизованная (Registered): нет Емкость микросхем: 8 Гбит Количество ранков: 1
BYN329 РУБ
Модуль памяти Kingston HX430C15PB3K2/32
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.35 В
BYN664 РУБ