Код товара: 879505-B21
Артикул:
Hewlett-Packard Company, 3000 Hanover Street Palo Alto, CA 94304-1185, USA
Производитель:
HP
BYN673 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
нет
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR4 DIMM
Форм-фактор: U-DIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Назначение: для сервера

Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: односторонняя

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для сервера
Объем одного модуля
8 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4 DIMM
Форм-фактор
U-DIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
нет
Упаковка чипов
односторонняя

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти HPE 815100-B21
PC-индекс: PC4-21300 Буферизованная (Registered): есть Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN449 РУБ
Модуль памяти HPE 835955-B21
PC-индекс: PC4-21300 Буферизованная (Registered): есть Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN618 РУБ
Модуль памяти Huawei 06200244
PC-индекс: PC4-21300 Буферизованная (Registered): есть Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN685 РУБ
Модуль памяти Huawei 16GB DDR4 PC4-19200 [06200213]
PC-индекс: PC4-19200 Буферизованная (Registered): есть Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN1363 РУБ
Модуль памяти Hynix 32GB DDR3 PC3-10600R HMT84GR7AMR4C-H9
PC-индекс: PC3-10600 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 4 Напряжение питания: 1.5 В
BYN613 РУБ