Артикул:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, SeoulПроизводитель:
Samsung
BYN635 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетАппаратное шифрование
естьОбщие характеристики:
Объем: 2 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 4.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 5200 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 850 000 IOps
Контроллер: Samsung Elpis
Дата выхода на рынок: 2021
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 2 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 4.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 5200 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 850 000 IOps
Контроллер: Samsung Elpis
Дата выхода на рынок: 2021
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Аппаратное шифрование
есть
Дата выхода на рынок
2021
Интерфейс
PCI Express 4.0 x4
Контроллер
Samsung Elpis
Объем
2 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Скорость последовательного чтения
7000 Мб/с
Скорость последовательной записи
5200 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
1 000 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
850 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Форм-фактор
M.2
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары