Артикул:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, SeoulПроизводитель:
Samsung
BYN1928 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетАппаратное шифрование
естьОбщие характеристики:
Объем: 4 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3.0
Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с
Скорость последовательной записи: 530 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 90 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 2.2 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Толщина: 6.8 мм
Контроллер: Samsung MJX
Дата выхода на рынок: 2018
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Ресурс записи: 4800 TBW
Буфер обмена: 4096 Мб
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 4 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3.0
Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с
Скорость последовательной записи: 530 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 90 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 2.2 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Толщина: 6.8 мм
Контроллер: Samsung MJX
Дата выхода на рынок: 2018
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Ресурс записи: 4800 TBW
Буфер обмена: 4096 Мб
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Аппаратное шифрование
есть
Буфер обмена
4096 Мб
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2018
Интерфейс
SATA 3.0
Контроллер
Samsung MJX
Объем
4 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
нет
Ресурс записи
4800 TBW
Скорость последовательного чтения
560 Мб/с
Скорость последовательной записи
530 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
90 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D MLC NAND
Толщина
6.8 мм
Форм-фактор
2.5"
Энергопотребление (чтение/запись)
2.2 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары