Код товара: Aorus Gen4 AIC GP-ASACNE6800TTTDA
Артикул:
North Tec Asia (Shang Hai) Limited, Фю Цонь, Нан Гуэй р-н г. Йан Рао, город Шанхай №3768
Производитель:
Gigabyte
BYN6708 РУБ
Аппаратное шифрование
есть
Дата выхода на рынок
2020
Все характеристики
Общие характеристики:
Объем: 8 Тб
Форм-фактор: плата расширения
Интерфейс: PCI Express 4.0 x16 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 15000 Мб/с
Скорость последовательной записи: 15000 Мб/с
Энергопотребление (чтение/запись): 33.5 Вт
Энергопотребление (ожидание): 14.32 Вт
Толщина: 19.8 мм
Контроллер: Phison PS5016-E16
Дата выхода на рынок: 2020
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: есть
Ресурс записи: 3600 TBW

Комфорт

Аппаратное шифрование
есть
Дата выхода на рынок
2020
Интерфейс
PCI Express 4.0 x16 (NVMe 1.3)
Контроллер
Phison PS5016-E16
Объем
8 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
есть
Ресурс записи
3600 TBW
Скорость последовательного чтения
15000 Мб/с
Скорость последовательной записи
15000 Мб/с
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Толщина
19.8 мм
Форм-фактор
плата расширения
Энергопотребление (ожидание)
14.32 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
33.5 Вт

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
SSD Gigabyte Aorus NVMe Gen4 1TB GP-ASM2NE6100TTTD
Адаптер 3.5" в комплекте: нет Аппаратное шифрование: есть
BYN356 РУБ
SSD Gigabyte Aorus NVMe Gen4 2TB GP-ASM2NE6200TTTD
Адаптер 3.5" в комплекте: нет Аппаратное шифрование: есть
BYN724 РУБ
SSD Gigabyte NVMe 256GB GP-GSM2NE3256GNTD
Аппаратное шифрование: нет Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
BYN72 РУБ
SSD Gigabyte NVMe 512GB GP-GSM2NE3512GNTD
Аппаратное шифрование: нет Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
BYN240 РУБ
SSD GoodRAM CL100 Gen. 3 120GB SSDPR-CL100-120-G3
Адаптер 3.5" в комплекте: нет Аппаратное шифрование: нет
BYN93 РУБ